Samsung: premiera pamięci HBM2E Flashbolt o pojemności 16 GB

Koreańska firma Samsung ogłosiła właśnie rynkowy debiut kości pamięci trzeciej generacji Flashbolt, czyli HBM2E. W oficjalnym komunikacie prasowym pochwalono się dwukrotnie większą pojemnością, lepszą energooszczędnością i wyraźnie wyższą przepustowością względem zwykłych układów HBM2 (ang. High Bandwidth Memory), które zastosowano między innymi we flagowych kartach graficznych koncernu AMD, czyli Radeonach VII i RX Vega 64. Od premiery poprzedniego standardu DRAM minęło trochę czasu, więc przyszła pora na następną generację kości pamięci ujawniona specyfikacja przez Samsunga tylko w niewielkim stopniu odbiega od tego, co zapowiadało w ubiegłym roku SK Hynix. I, co więcej, uda się dotrzymać planowanego terminu uruchomienia masowej produkcji, wyznaczonego na 2020 rok.